OSDN Git Service

sb_edac: Fix discovery of top-of-low-memory for Haswell
authorTony Luck <tony.luck@intel.com>
Wed, 29 Oct 2014 17:36:50 +0000 (10:36 -0700)
committerMauro Carvalho Chehab <mchehab@osg.samsung.com>
Tue, 2 Dec 2014 14:06:52 +0000 (12:06 -0200)
Haswell moved the TOLM/TOHM registers to a different device and offset.
The sb_edac driver accounted for the change of device, but not for the
new offset.  There was also a typo in the constant to fill in the low
26 bits (was 0x1ffffff, should be 0x3ffffff).

This resulted in a bogus value for the top of low memory:

  EDAC DEBUG: get_memory_layout: TOLM: 0.032 GB (0x0000000001ffffff)

which would result in EDAC refusing to translate addresses for
errors above the bogus value and below 4GB:

   sbridge MC3: HANDLING MCE MEMORY ERROR
   sbridge MC3: CPU 0: Machine Check Event: 0 Bank 7: 8c00004000010090
   sbridge MC3: TSC 0
   sbridge MC3: ADDR 2000000
   sbridge MC3: MISC 523eac86
   sbridge MC3: PROCESSOR 0:306f3 TIME 1414600951 SOCKET 0 APIC 0
   MC3: 1 CE Error at TOLM area, on addr 0x02000000 on any memory ( page:0x0 offset:0x0 grain:32 syndrome:0x0)

With the fix we see the correct TOLM value:

   DEBUG: get_memory_layout: TOLM: 2.048 GB (0x000000007fffffff)

and we decode address 2000000 correctly:

   sbridge MC3: HANDLING MCE MEMORY ERROR
   sbridge MC3: CPU 0: Machine Check Event: 0 Bank 7: 8c00004000010090
   sbridge MC3: TSC 0
   sbridge MC3: ADDR 2000000
   sbridge MC3: MISC 523e1086
   sbridge MC3: PROCESSOR 0:306f3 TIME 1414601319 SOCKET 0 APIC 0
   DEBUG: get_memory_error_data: SAD interleave package: 0 = CPU socket 0, HA 0, shiftup: 0
   DEBUG: get_memory_error_data: TAD#0: address 0x0000000002000000 < 0x000000007fffffff, socket interleave 1, channel interleave 4 (offset 0x00000000), index 0, base ch: 0, ch mask: 0x01
   DEBUG: get_memory_error_data: RIR#0, limit: 4.095 GB (0x00000000ffffffff), way: 1
   DEBUG: get_memory_error_data: RIR#0: channel address 0x00200000 < 0xffffffff, RIR interleave 0, index 0
   DEBUG: sbridge_mce_output_error:  area:DRAM err_code:0001:0090 socket:0 channel_mask:1 rank:0
   MC3: 1 CE memory read error on CPU_SrcID#0_Channel#0_DIMM#0 (channel:0 slot:0 page:0x2000 offset:0x0 grain:32 syndrome:0x0 -  area:DRAM err_code:0001:0090 socket:0 channel_mask:1 rank:0)

Signed-off-by: Tony Luck <tony.luck@intel.com>
Acked-by: Aristeu Rozanski <aris@redhat.com>
Signed-off-by: Mauro Carvalho Chehab <mchehab@osg.samsung.com>
drivers/edac/sb_edac.c

index f37d01f..ead0bf9 100644 (file)
@@ -135,6 +135,7 @@ static inline int sad_pkg(const struct interleave_pkg *table, u32 reg,
 
 #define TOLM           0x80
 #define        TOHM            0x84
+#define HASWELL_TOLM   0xd0
 #define HASWELL_TOHM_0 0xd4
 #define HASWELL_TOHM_1 0xd8
 
@@ -706,8 +707,8 @@ static u64 haswell_get_tolm(struct sbridge_pvt *pvt)
 {
        u32 reg;
 
-       pci_read_config_dword(pvt->info.pci_vtd, TOLM, &reg);
-       return (GET_BITFIELD(reg, 26, 31) << 26) | 0x1ffffff;
+       pci_read_config_dword(pvt->info.pci_vtd, HASWELL_TOLM, &reg);
+       return (GET_BITFIELD(reg, 26, 31) << 26) | 0x3ffffff;
 }
 
 static u64 haswell_get_tohm(struct sbridge_pvt *pvt)